依據陽極層線性封閉漂移理論，氣體在離子中的陰陽極之間通過，其陽極的正電壓與加在內外陰部間的強磁場相互作用，產生等離子體，來自于等離子體中的離子受陽極電場的驅動，由離子源中產生噴出的離子束流。
2、用途
可作為基片表面的清潔離子清洗源。
可在柔性基片上直接鍍DLC和光學膜、氧化物、氮化物等作為磁控濺射過程中的離子輔助沉積。
3、特性
低氣壓、低電壓、高束流。陽極膜離子源產生的低能量、大束流的離子束可以有效去除基片表面的有機污染物和氧化層，增加薄膜的附著力，同時避免對基片轟擊時造成損傷(如平板顯示器鍍膜、柔性基材鍍膜)。
無燈絲、柵極及中和柵、可長時間穩定運行和生產。非常高的平均無故障時間和極地的維護成本。由于陽極膜離子源無需燈絲，空心陰極等電子中和器而且水冷完全，所有其對鍍膜環境的溫度改變很小。這個特性對溫度敏感基片的鍍膜非常有利。同樣道理，沒有電子中和器使其可以長時間免維護工作。
可適應各種反應氣體和惰性氣體。陽極膜離子源的機構和材料組成使得其完全適應絕大部分反應氣體，如氮氣、氧氣和甲烷等。
離子源長度可根據用戶需要制造。
有效尺寸 | （根據具體型號而定） |
空載電壓 | >1500V |
工作電流 | 0～5A連續可調 |
離子能量 | 50-800eV |
工作壓強 | 1×10-1~5×10-1Pa |
氣路流量 | 0~100Sccm |
冷卻水管 | Φ8×1 |
冷卻水阻抗 | 50KΩ/M |
控制方式 | Local/Remote |
適用范圍 | 等離子體清洗及輔助鍍膜 |
