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PECVD設備

PECVD設備

  • 所屬分類:鍍膜系統
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  • 發布時間:2024-04-20 14:00:56
  • 產品概述

系統具備制備各種薄膜、多層膜的功能,可用于鍍制金屬膜、半導體膜、非金屬膜及介質膜等研究工作,能制備氧化物、氮化物等薄膜;同時又可以對樣品進行等離子體清洗、反濺清洗。設備具體包括真空腔室、樣品加熱盤、等離子體電極、泵抽系統、真空測量系統、水路系統、氣路系統等組成。

主要技術性能指標及基本結構

1.真空室Ф350×約H350(mm),為筒形臥式雙層水冷全不銹鋼結構;正面活門帶石英觀察窗;其上部裝有一固定石墨加熱爐可手動升降樣品盤,并配有樣品擋板采用手動控制旋轉;兩側面安裝有封接觀察窗并配擋板; CF35照明法蘭,進氣截止閥,放氣閥,旁抽角閥,蝶閥,后部裝有一個CF150閘板閥與分子泵連接構成抽氣管道。下部裝有射頻等離子體啟輝電離裝置,可實現手動調節與樣品距離。

2.真空獲得及測量:采用FF-160/620C型分子泵+2XZ-8機械泵+ZJP30羅茨泵通過一個CF150超高真空閘板閥對真空室進行抽氣實現主抽;通過一個CF35角閥實現旁路抽氣;真空規管均安放在主抽氣管道上,實現對系統真空度的測量;真空測量采用ZDF5201數顯超高真空復合計,鍍膜時采用絕對壓力變送器進行真空度測量。系統極限真空:經48小時烘烤后連續抽氣, 高于10×10-6Pa;抽速:充入干燥氮氣并短時間暴露大氣后開始抽氣,40分鐘可達≤10-4 Pa。系統漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S,停泵關機12小時后保持真空度≤5Pa。工作真空度1~1000 Pa。

3.樣品臺:可加熱從室溫~1200 ℃,控溫精度在±2℃,可在樣品上加負偏壓(~-300 V)。樣品臺與反應氣體勻氣盤之間的距離可調節??煞胖谩?0mm×50mm方片為基片。

4. 控制系統:

4.1 泵閥等開關量的控制

系統中所有泵、閥、照明等開關量的控制,都是手動控制實現的,采用一個按鈕來控制,例如機械泵:如果當前機械泵的狀態為停止,按下機械泵的按鈕,機械泵啟動,啟動后的狀態為綠色,再次按下此按鈕,機械泵停止,顏色為灰色。

4.2 加熱電源的控制

滿足加熱工藝條件下,先按下“加熱電源”按鈕,啟動加熱電源接觸器電路,然后可通過手動方式控制加熱電源。手動控溫是通過SR93溫控表手動調節溫度輸出。

4.3 流量計控制

流量計的操作詳見說明書

4.4射頻電源控制

射頻電源控制詳見說明書

5. 電源

1、RF射頻電源:N=1500W f=13.56MHz 1臺

2、直流負偏壓電源:0-600V 1臺

3、樣品加熱溫控電源: 1臺

4、分子泵電源: 1臺

5、總控制電源: 1臺

6、流量顯示儀: 1臺

7、復合真空計: 1臺

8、絕對壓力變送器 1臺

6. 氣路系統:采用5路MFC質量流量控制器和1路浮子流量計控制進氣,具體見系統真空示意圖。

7.水冷卻及水壓報警系統:系統配有水冷卻系統,用來對分子泵、射頻電極、腔體、等進行冷卻。在水路上安裝有水流繼電器,一旦缺水或水壓不足,將進行報警并切斷相應電源,以防止損壞設備。

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